抑制性突觸后電位

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抑制性突觸后電位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突觸前膜釋放抑制性遞質(zhì)（抑制性中間神經(jīng)元釋放的遞質(zhì)），導(dǎo)致突觸后膜主要對Cl-通透性增加，Cl-內(nèi)流產(chǎn)生局部超極化電位。

特點(diǎn)：（1）突觸前膜釋放遞質(zhì)是Ca2+內(nèi)流引發(fā)的；（2）遞質(zhì)是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；（3）IPSP是局部電位，而不是動(dòng)作電位；（4）IPSP是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關(guān)。

人體百科 - 神經(jīng)系統(tǒng)生理學(xué): 神經(jīng)生理學(xué) / 臨床神經(jīng)生理學(xué) 主要涉及中樞神經(jīng)系統(tǒng) 覺醒（覺醒狀態(tài)） · 顱內(nèi)壓 · 腦功能偏側(cè)化 · 睡眠 · 記憶 主要涉及周圍神經(jīng)系統(tǒng) 反射 · 感覺 二者都有 誘發(fā)電位 人腦運(yùn)動(dòng)前準(zhǔn)備電位 · P300 · 聽覺誘發(fā)電位 · 體感誘發(fā)電位 · 視覺誘發(fā)電位 其它短期作用 神經(jīng)傳遞 · 時(shí)值 · 膜電位 · 動(dòng)作電位 · 突觸后電位（興奮性、抑制性） 長期作用 軸漿運(yùn)輸 · 神經(jīng)再生 · 神經(jīng)可塑性/突觸可塑性（長時(shí)程增強(qiáng)、長時(shí)程抑制) 其它 髓鞘形成

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