電子俘獲

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電子俘獲(electron capture)，一般分成兩類。一類是原子或離子通過媒質(zhì)時獲得電子的機(jī)制。這是原子和離子在媒質(zhì)中損失動能并減速的重要原因，從而影響入射的原子和離子在媒質(zhì)中的射程。當(dāng)入射的帶電粒子的速度和媒質(zhì)中電子的速度具有相同量級時，發(fā)生電子俘獲的幾率較大，因此在粒子射程的末端，電子俘獲的發(fā)生較為頻繁。對于帶有大量正電荷的裂變碎片，則在它整個減速過程中都有電子俘獲發(fā)生。中性的氫原子通過輕元素組成的媒質(zhì)時，單位距離路程的能量損失約為質(zhì)子在同樣情形下能量損失的一半。
　　另一類是電子被原子核俘獲，稱為電子的核俘獲或K俘獲。K俘獲是原子核從最靠近它的 K電子殼層俘獲一個電子而轉(zhuǎn)變?yōu)楹穗姾蓴?shù)比原來的值小 1的新核的機(jī)制，此過程中，核還要發(fā)射一個中微子。K俘獲是β衰變的逆過程。發(fā)生K俘獲的幾率與K殼層電子處于核附近的壽命有關(guān)，核電荷數(shù)Z值較大的核，電子波函數(shù)在核中心區(qū)的值也較大，因而發(fā)生K俘獲的幾率也比輕核大。K俘獲是電子的場與核場間相互作用的結(jié)果。
　　還可能發(fā)生一種二階過程，即原子K殼層的s電子被核俘獲的同時，伴隨著L殼層一個p電子躍遷到K殼層而產(chǎn)生γ躍遷。

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